臺(tái)積電最大封裝測(cè)試廠正式啟用！年產(chǎn)能超100萬(wàn)片12英寸晶圓等效3DFabric工藝
6月13日，據(jù)Evertiq報(bào)道，全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電宣布其先進(jìn)后端晶圓廠Fab 6開業(yè)啟用，這是該公司首個(gè)一體自動(dòng)化先進(jìn)封裝和測(cè)試晶圓廠，實(shí)現(xiàn)了前后端制程與測(cè)試服務(wù)的3DFabric整合。
該晶圓廠準(zhǔn)備量產(chǎn)TSMC-SoIC（集成芯片系統(tǒng)）工藝技術(shù)，將使臺(tái)積電能夠?yàn)槠?DFabric先進(jìn)封裝和芯片堆疊技術(shù)（如SoIC、InFO、CoWoS和先進(jìn)測(cè)試）分配產(chǎn)能，從而提高生產(chǎn)良率和效率。
報(bào)道稱，先進(jìn)后端Fab 6于2020年開始建設(shè)，旨在支持下一代HPC、AI、移動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)品，幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品成功并贏得市場(chǎng)機(jī)會(huì)。該晶圓廠位于中國(guó)臺(tái)灣竹南科學(xué)園區(qū)，占地面積達(dá)14.3公頃，是臺(tái)積電迄今為止最大的先進(jìn)后道晶圓廠，其潔凈室面積超過(guò)臺(tái)積電其它先進(jìn)后端晶圓廠的總和。
臺(tái)積電在一份新聞稿中估計(jì)，該晶圓廠每年將有能力生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)片12英寸晶圓等效3DFabric工藝技術(shù)的能力，以及每年超過(guò)1000萬(wàn)小時(shí)的測(cè)試服務(wù)。
今年4月26日，臺(tái)積電在美國(guó)加州圣克拉拉市舉行了2023年度北美技術(shù)論壇，會(huì)上著重介紹了3DFabric技術(shù)。據(jù)介紹，這個(gè)技術(shù)主要由先進(jìn)封裝、三維芯片堆疊和設(shè)計(jì)等三部分組成。通過(guò)先進(jìn)封裝，可以在單一封裝中置入更多處理器及存儲(chǔ)器，從而提升運(yùn)算效能；在設(shè)計(jì)支持上，臺(tái)積電推出開放式標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)語(yǔ)言的最新版本，協(xié)助芯片設(shè)計(jì)人員處理復(fù)雜大型芯片。
有市場(chǎng)消息稱，目前被全球大模型廠商追捧的英偉達(dá)H100計(jì)算芯片，就是基于臺(tái)積電3DFabric技術(shù)，利用其中的CoWoS技術(shù)將6顆原本已經(jīng)很昂貴的第三代高頻記憶體(HBM3)連接起來(lái)，從而令每顆記憶體擴(kuò)充到80GB、每秒3TB的超高速資料傳輸。
臺(tái)積電此前曾在聲明中稱，硅含量在汽車、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)、HPC相關(guān)應(yīng)用中不斷增加，這些現(xiàn)代工作負(fù)載需要封裝技術(shù)創(chuàng)新，因此晶圓設(shè)計(jì)必須采用更全面的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化方法。該公司將這種優(yōu)化指向了“3D堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)”。
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